Metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan effektli tranzistorlar (MOSFET), ýokary geçiş mümkinçilikleri we netijeliligi sebäpli häzirki zaman elektronikasynda aýrylmaz komponentlere öwrüldi. MOSFET gurluşynyň içinde ýerleşdirilen, köplenç ähmiýet berilmeýän, ýöne möhüm element: beden diody. Bu aýrylmaz komponent zynjyry goramakda we öndürijilikde möhüm rol oýnaýar. Şeýle-de bolsa, MOSFET beden diodlary şowsuzlyga uçrap biler, bu bolsa zynjyryň näsazlygyna we howpsuzlyga howp döredip biler. Güýçli MOSFET diod şowsuzlygynyň umumy sebäplerine düşünmek ygtybarly we ygtybarly elektron ulgamlaryny taslamak üçin birinji orunda durýar.
Güýç MOSFET diod şowsuzlygynyň düýp sebäplerini açmak
Artykmaç wolt stres: Bedeniň diodynyň ters naprýa ratingeniýe derejesinden ýokary bolmagy, birdenkä döwülmegine we diod çatrygynyň öwezini dolup bolmajak zeper ýetmegine sebäp bolup biler. Bu wagtlaýyn naprýa .eniýe urmagy, ýyldyrym çakmagy ýa-da nädogry zynjyr dizaýny sebäpli bolup biler.
Artykmaç stres: Bedeniň diodynyň öňe hereket edýän kuwwatyndan ýokary bolmak, aşa köp ýylylyk öndürip, diod çatrygynyň eremegine ýa-da peselmegine sebäp bolup biler. Bu ýokary tokly kommutasiýa hadysalarynda ýa-da gysga utgaşma şertlerinde bolup biler.
Gaýtalanýan kommutasiýa stres: MOSFET-i ýokary ýygylyklarda gaýta-gaýta çalyşmak, bedeniň diod çatrygynda ýadawlygy döredip biler, bu bolsa mikro-çatryklara we ahyrky şowsuzlyga sebäp bolup biler. Bu, esasanam ýokary ýygylykly kommutasiýa we induktiw ýükler bilen baglanyşykly programmalarda giňden ýaýrandyr.
Daşky gurşaw faktorlary: Ekstremal temperatura, çyglylyk ýa-da poslaýjy maddalar ýaly daşky gurşaw şertlerine duçar bolmak, bedeniň diod çatrygynyň zaýalanmagyny çaltlaşdyryp, wagtyndan öň şowsuzlyga sebäp bolup biler.
Önümçilik kemçilikleri: Seýrek ýagdaýlarda, diod çatrygyndaky hapalar ýa-da gurluş kemçilikleri ýaly önümçilik kemçilikleri, beden diodynyň şowsuzlygyna sebäp bolup biler.
Güýç MOSFET diod şowsuzlygynyň öňüni almak üçin strategiýalar
Naprýa .eniýäni goramak: Zener diodlary ýa-da üýtgeýjiler ýaly naprýa .eniýäni gysýan enjamlary işlediň, wagtlaýyn naprýa .eniýe tüpeňlerini çäklendirmek we beden diodyny aşa wolt stresinden goramak üçin.
Häzirki çäklendirme: Bedeniň diodyndan aşa köp tok akymynyň öňüni almak we aşa köp zeperlerden goramak üçin, sigortalar ýa-da işjeň tok çäklendiriji zynjyrlar ýaly tok çäklendiriji çäreleri durmuşa geçiriň.
Snubber zynjyrlary: Parazit induksiýalarynda saklanýan energiýany ýaýratmak we bedeniň diodyndaky kommutasiýa streslerini azaltmak üçin rezistorlardan we kondensatorlardan ybarat gümürtik zynjyrlary ulanyň.
Daşky gurşawy goramak: Elektron komponentleri gorag gablaryna salyň we bedeniň diodyny daşky gurşaw faktorlaryndan goramak üçin degişli laýyk örtükleri ulanyň.
Hil komponentleri: Bedeniň diodyndaky önümçilik kemçiliklerini azaltmak üçin abraýly öndürijilerden ýokary hilli MOSFET çeşmesi.
Netije
Power MOSFET beden diodlary, köplenç ünsden düşürilse-de, zynjyryň goragynda we işleýşinde möhüm rol oýnaýar. Olaryň şowsuzlygynyň umumy sebäplerine düşünmek we öňüni alyş çärelerini durmuşa geçirmek elektron ulgamlaryň ygtybarlylygyny we uzak ömrüni üpjün etmek üçin zerurdyr. Bu strategiýalary kabul etmek bilen, inersenerler talap edilýän iş şertlerine çydamly we MOSFET diodyň näsazlygy töwekgelçiligini minimuma eltip, elektron enjamlaryň bitewiligini gorap we ulgamyň umumy howpsuzlygyny ýokarlandyrýan berk zynjyrlary dizaýn edip bilerler.
Iş wagty: Iýun-07-2024