Metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan effektli tranzistorlar (MOSFET) elektronika pudagyny özgertdi we giň zynjyrlaryň hemme ýerinde hemme ýere öwrüldi. Esasy wezipesi elektrik signallaryna gözegçilik etmek we güýçlendirmek bolsa-da, MOSFET-lerde köplenç ünsden düşürilýän, ýöne möhüm element: içki beden diody bar. Bu blog ýazgysy, ýitgilerini azaltmak we umumy zynjyryň netijeliligini ýokarlandyrmak strategiýalaryny öwrenip, MOSFET beden diodlarynyň çylşyrymlylyklaryny öwrenýär.
MOSFET beden diod ýitgilerine düşünmek
MOSFET gurluşynyň içindäki parazit birleşmesi bolan beden diody, bir taraplaýyn tok akymyny görkezýär, tok zeýkeşden çeşmä geçmegine mümkinçilik berýär, ýöne tersine däl. Gymmatly maksatlara hyzmat etse-de, beden diody zynjyryň netijeliligini peseldýän güýç ýitgilerini girizip biler.
Geçirijiniň ýitgileri: MOSFET-iň işleýän wagtynda beden diody ters tarapa tok geçirýär, ýylylyk we bölünip çykýan güýç döredýär.
Geçiriş ýitgileri: MOSFET kommutasiýa geçişlerinde beden diody ters dikeldiş döwründe tok geçirýär we ýitgileriň üýtgemegine getirýär.
MOSFET beden diod ýitgilerini azaltmak üçin strategiýalar
Dogry MOSFET-leri saýlamak: Geçirijini we kommutasiýa ýitgilerini azaltmak üçin pes göwrümli diodyň öňe naprýa .eniýesi we tersine dikeldiş wagty bolan MOSFET-leri saýlaň.
Sürüji signallaryny optimizirlemek: kommutasiýa wagtynda beden diodynyň geçirýän wagtyny azaltmak we kommutasiýa ýitgilerini azaltmak üçin dogry derwezeli hereketlendiriji signallaryny ulanyň.
Snubber zynjyrlaryny ulanmak: Rezistorlardan we kondensatorlardan ybarat gümürtik zynjyrlary, parazit induksiýalarynda saklanýan energiýany ýaýratmak we naprýatageeniýäni azaltmak, kommutasiýa ýitgilerini azaltmak.
Paralel beden diodlary: Toky paýlaşmak we güýç ýaýramagyny azaltmak üçin, esasanam ýokary tokly programmalarda daşky diodlary beden diody bilen deňeşdirmegi göz öňünde tutuň.
Alternatiw zynjyryň dizaýny: Käbir ýagdaýlarda ýitgileri hasam azaltmak üçin beden diodynyň geçiriji ýoluna zerurlygy aradan aýyrýan alternatiw zynjyr topologiýalary göz öňünde tutulyp bilner.
MOSFET beden diod ýitgilerini azaltmagyň peýdalary
Gowulaşan netijelilik: Bedeniň diod ýitgilerini azaltmak, umumy sarp ediş netijeliligini ýokarlandyrýar we pes energiýa sarp edilişine we energiýa tygşytlanyşyna öwrülýär.
Atylylyk öndürilişiniň azalmagy: lossesitgileri azaltmak MOSFET we onuň töweregindäki bölekleriň içindäki ýylylyk öndürilmegini azaldar, ýylylyk öndürijiligini gowulandyrar we komponentleriň ömrüni uzaldýar.
Güýçlendirilen ygtybarlylyk: Işleýişiň pes temperaturasy we komponentlere edilýän stresiň peselmegi zynjyryň ygtybarlylygyny we uzak ömrüni ýokarlandyrýar.
Netije
MOSFET beden diodlary, köplenç äsgerilmese-de, zynjyryň netijeliligine we işleýşine ep-esli derejede täsir edip biler. Bedeniň diod ýitgileriniň çeşmelerine düşünmek we täsirleri azaltmak strategiýalaryny durmuşa geçirmek ýokary netijelilikli, ygtybarly elektron ulgamlaryny taslamak üçin möhümdir. Inersenerler bu usullary ulanmak bilen zynjyryň işleýşini optimizirläp, energiýa sarp etmesini azaldyp we elektron dizaýnlarynyň ömrüni uzaldyp bilerler.
Iş wagty: Iýun-07-2024